ZA-570A中岸超低频高压发生器200KV-0.1级使用方法

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LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。拉曼散射是由光纤中非传播的局域密度不均匀和成分不均匀所致，这种不均匀性是在拉纤阶段，化硅由熔融态转变为凝固态的过程中形成的。激光脉冲在光纤中所走过的路程为：2L=vt。其中，t为入射光经后向散射返回到光纤入射端所需时间;v为光在光纤中的传播速度，v=c/n，c为真空中的光速，n为光纤的折射率;L为光纤某处到光纤入射端的距离。在t时刻测量距光纤入射端距离为L处局域的后向拉曼散射光，OTDR为分布式测量提供可靠的理论依据。